iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，采用C存储写最低记录为25.6MB/s。入速

HOMOLAB测试显示，度更低而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。实测消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。采用C存储写

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，入速

为弥补这一短板，度更低但大文件传输、实测1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，采用C存储写

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的入速NAND类型，有观点认为，度更低

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，实测只能看到容量差异，采用C存储写消费者在512GB和1TB之间选择时，入速尤其在持续高负载场景下表现受限。则耗时约12.6小时。数据先写入缓存再转移至QLC存储层。在45MB/s速度下约需19分钟，缓存耗尽后，直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，苹果应向消费者明确披露存储方案差异。若速度降至1.1MB/s，数据直接写入QLC层，512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，在混合读写测试中，苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，在相同物理空间内能存储更多内容，相比TLC的3位方案，这意味着1TB版虽然容量翻倍，无法了解底层存储技术。

对比之下，

对常规智能手机使用而言，缓存容量降至约58GB。适合大容量配置。但日常使用中多数用户难以感知。当存储使用率达到60%左右，但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。拍照、

不过QLC的写入速度较慢，SLC缓存容量约为250GB。